TY  - JOUR

T1  - GaAs-Based Superluminescent Light-Emitting Diodes with 290-nm Emission Bandwidth by Using Hybrid Quantum Well/Quantum Dot Structures

JO  - Nanoscale Research Letters

UR  - https://eprints.whiterose.ac.uk/id/eprint/90489

UR  - http://dx.doi.org/10.1186/s11671-015-1049-2

PY  - 2015/08/25

AU  - Chen S

AU  - Li W

AU  - Zhang Z

AU  - Childs D

AU  - Zhou K

AU  - Orchard J

AU  - Kennedy K

AU  - Hugues M

AU  - Clarke E

AU  - Ross I

AU  - Wada O et al

ED  - 

DO  - DOI: 10.1186/s11671-015-1049-2

PB  - SpringerOpen

VL  - 10

Y2  - 2025/12/07

ER  -